功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，11.5 A，650 mΩ，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 650mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A\n•低栅极电荷（典型值 21nC) \n•低 Crss（典型值 11pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET?

Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. UniFET Ultra FRFETTM MOSFET has

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FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通