isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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ISC

无锡固电

500V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

500V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，7 A，900 mΩ，TO-220

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 900mΩ （最大值）（VGS = 10V，ID = 3.5 A）栅极电荷低（典型值： 12.8 nC）\n•低 Crss（典型值 9pF）\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.15Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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ISC

无锡固电

500V N-Channel MOSFET

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仙童半导体

N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 6A, 1.15OHM

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仙童半导体

500V N-Channel MOSFET

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