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FDP075N15A | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=130A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
FDP075N15A | N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 130A, 7.5m廓 | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | |
N-ChannelPowerTrench짰MOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
IscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC |
详细参数
- 型号:
FDP075N15A
- 功能描述:
MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
PowerTrench®
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Freescale(飞思卡尔) |
2023+ |
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4550 |
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