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FDP060AN08A0

N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0m?

文件:252.66 Kbytes 页数:11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDP060AN08A0

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:327.94 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDP060AN08A0

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,75V,80A,6mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET75 V, 80 A, 6 mΩ •RDS(on) = 4.8mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 80A\n•QG(tot) = 73nC(典型值) @ VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 Qrr 体二极管\n•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲);

ONSEMI

安森美半导体

FDB060AN08A0

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:321.77 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDB060AN08A0

N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0m?

文件:252.66 Kbytes 页数:11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    75

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    80

  • PD Max (W):

    255

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    73

  • Ciss Typ (pF):

    5150

  • Package Type:

    TO-220-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
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更多FDP060AN08A0供应商 更新时间2026-2-1 15:40:00