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FDB060AN08A0中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

FDB060AN08A0
厂商型号

FDB060AN08A0

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

丝印标识

D2PAK

封装外壳

TO-263

文件大小

321.77 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
ISC
数据手册

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更新时间

2025-8-4 16:07:00

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产品属性

  • 型号:

    FDB060AN08A0

  • 功能描述:

    MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
23+
TO-263
2686
原厂原装正品
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