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FDMT800152DC	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，双 Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET，150V，72A，9.0mΩ; • 最大 rDS(on) = 9.0 mΩ（VGS = 10 V、ID = 13 A）\n• 最大值 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 11 A）\n• 低rDS(on) 和高效的先进硅封装\n• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n• 薄型 8x8mm MLP 封装\n• MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准\n; 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDMT800152DC

文件：300 bytes

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N 沟道，双 Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET，150V，72A，9.0mΩ; • 最大 rDS(on) = 9.0 mΩ（VGS = 10 V、ID = 13 A）\n• 最大值 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 11 A）\n• 低rDS(on) 和高效的先进硅封装\n• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n• 薄型 8x8mm MLP 封装\n• MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准\n;

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
72
PD Max (W)：
156
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
9
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
9
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
38
Ciss Typ (pF)：
4196
Package Type：
PQFN-8

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