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FDMT800120DC

N 沟道,双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET,120V,128A,4.2mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 • 最大 rDS(on) = 4.14(VGS = 10 V、ID = 20 A)\n• 最大 rDS(on) = 6.0 mΩ(VGS = 6 V、ID = 16 A)\n• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装\n•下一代先进体二极管技术,专为软恢复设计\n•薄型 8x8 mm MLP 封装\n•MSL1 强健封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

800120MA

0.8 mm PITCH DUAL ROW PIN HEADER SMD TYPE

文件:131.68 Kbytes 页数:1 Pages

SUYIN-USA

FDN304P

SOT23-3

ON

FDN304P-NL

SOT

FAIRCHILD/仙童

FDN306P

SOT23

FAIRCHILD

仙童半导体

上传:深圳市东来宝电子科技有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    120

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    128

  • PD Max (W):

    156

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    4.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    48

  • Ciss Typ (pF):

    5605

  • Package Type:

    PQFN-8

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