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FDMS9408L_F085

N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,1.7mΩ

FDMS9408L_F085 典型 RDS(on) = 1.3 mΩ VGS = 10 V、ID = 80 A\n典型 Qg(tot) = 83 nC VGS = 10 V、ID = 80 A\nUIS 能力\n符合 RoHS 标准\n符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS9408L-F085

丝印:FDMS9408L;Package:Power56;N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET

文件:566.09 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDMS9600S

QFN8

ON

FDN304P

SOT23-3

ON

FDN304P-NL

SOT

FAIRCHILD/仙童

技术参数

  • Compliance:

    AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     40 V N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

     

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    80

  • PD Max (W):

    214

  • GS = 2.5 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

  • GS = 10 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:

    help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

  • GS = 10 V\ style=\cursor:

    help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

  • Ciss Typ (pF):

    5750

  • Package Type:

    PQFN-8

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更多FDMS9408L_F085供应商 更新时间2025-11-4 15:08:00