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FDMS86369_F085

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,65A,7.5mΩ

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80 V、65 A、7.5 mΩ • Typical RDS(on) = 5.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 65 A\n• Typical Qg(tot) = 35 nC at VGS = 10 V, ID = 65 A\n• UIS Capability\n• RoHS Compliant\n• Qualified to AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS86369_F085

Primary Switch for 12V Systems

文件:510.12 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDD86369_F085

Automotive Engine Control

文件:462.62 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDMS9600S

ON
QFN8

ON

FDN304P

ON
SOT23-3

ON

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    80

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    65

  • PD Max (W):

    107

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    7.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    35

  • Ciss Typ (pF):

    2470

  • Package Type:

    PQFN-8

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更多FDMS86369_F085供应商 更新时间2025-10-6 15:08:00