N-Channel PowerTrench짰 SyncFETTM 25 V, 60 A, 2.8 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH짰 MOSFETs

Dual Cool™ packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance flexibility. With enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predece

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FAIRCHILD

仙童半导体

25V N沟道PowerTrench® SyncFET™

此N沟道SyncFET™ 采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产。先进的硅技术和封装技术完美融合，可在提供最小RDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。 在VGS = 10 V且ID = 28 A时，最大值RDS(on) = 2.8 mΩ\n在VGS = 4.5 V且ID = 25 A时，最大值RDS(on) = 3.3 mΩ\n高性能技术可实现极低的RDS(ON)\nSyncFET™ 肖特基体二极管\n符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

25V N沟道PowerTrench® SyncFET™

此N沟道SyncFET™ 采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产。先进的硅技术和封装技术完美融合，可在提供最小RDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。 Dual Cool™ PQFN封装\n在VGS = 10 V且ID = 28 A时，最大值RDS(on) = 2.8 mΩ\n在VGS = 4.5 V且ID = 25 A时，最大值RDS(on) = 3.3 mΩ\n高性能技术可实现极低的RDS(ON)\nSyncFET™ 肖特基体二极管\n符合RoHS标准;

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