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FDMS8558S

N-Channel PowerTrench짰 SyncFETTM

文件:310.26 Kbytes 页数:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDMS8558SDC

N-Channel PowerTrench짰 SyncFETTM 25 V, 90 A, 1.5 m廓

文件:278.98 Kbytes 页数:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDMS8558S

N 沟道,PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,25V,90A,1.5mΩ

此N沟道SyncFET™ 采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产。 先进的硅技术和封装技术完美融合,可在提供最小rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。 • Dual Cool™ PQFN package\n•VGS = 10 V,ID = 33 A时,最大rDS(on) = 1.5mΩ\n•VGS = 4.5 V,ID = 31 A时,最大rDS(on) = 1.7 mΩ\n•高性能技术可实现极低的rDS(on)\n•SyncFET™ 肖特基体二极管\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS8558SDC

25V N沟道PowerTrench® SyncFET™

此 N 沟道 SyncFET™ 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench®工艺生产。 先进的硅技术和封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。 Dual Cool™ PQFN package\nMax rDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 38 A\nMax rDS(on) = 1.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 36 A\nHigh performance technology for extremely low rDS(on)\nSyncFET™ Schottky Body Diode\nRoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Compliance:

    Pb-freeHalide free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     25V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFET 90A

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    25

  • VGS Max (V):

    12

  • VGS(th) Max (V):

    2.2

  • ID Max (A):

    90

  • PD Max (W):

    78

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    1.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    32

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    38

  • Ciss Typ (pF):

    5118

  • Package Type:

    PQFN-8

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更多FDMS8558S供应商 更新时间2025-10-11 14:02:00