25V N沟道PowerTrench® SyncFET™

此 N 沟道 SyncFET™ 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench®工艺生产。 先进的硅技术和封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。 Dual Cool™ PQFN package\nMax rDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 38 A\nMax rDS(on) = 1.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 36 A\nHigh performance technology for extremely low rDS(on)\nSyncFET™ Schottky Body Diode\nRoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 SyncFETTM 25 V, 90 A, 1.5 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

Low noise, fast response 500mA LDO regulato

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LRC

乐山无线电

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