100V 对称双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40A，13mΩ

该器件在双Power 56（5 毫米 X 6 毫米 MLP）封装中包括两个快速开关（QGD最小化）100V N 沟道 MOSFET。封装增强用于出色的热性能。 •最大值 rDS(on) = 13 mΩ（VGS = 10 V, ID = 10 A 时）\n•最在值 rDS(on) = 20 mΩ（VGS = 6 V, ID = 8 A）\n•低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗\n•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

PowerTrench짰 Power Stage 100 V Symmetric Dual N-Channel MOSFET

文件：351.29 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

Schottky MiniMod

Schottky MiniMod ● Schottky Barrier Rectifier ● Guard ring protection ● 2X40 Amperes avg. ● 175°C junction temperature ● Reverse energy tested ● VRRM 80 to 100 volts ● ROHS Compliant

文件：140.89 Kbytes 页数：2 Pages

Microsemi

美高森美

Schottky MiniMod

文件：120.74 Kbytes 页数：2 Pages

Microsemi

美高森美

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·Low Temperature Coefficient of RDS(ON) ·High Blocking Voltage with Low On-Resistance ·High Speed Switching with Low Capacitances APPLICATIONS ·Charging Piles ·PV Inverters ·Industrial Motors ·Industrial Power Supply

文件：320.12 Kbytes 页数：3 Pages

ISC

无锡固电