N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，22A，10mΩ

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 •VGS = 10 V，ID = 13.5 A时，最大rDS(on) = 10 mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 11.0 A时，最大rDS(on) = 15 mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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