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FDMS7580

25V N沟道PowerTrench® MOSFET

• 此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 •VGS = 10V,ID = 15A时,最大rDS(on) = 7.5mΩ\n•VGS = 4.5 V,ID = 12 A时,最大rDS(on) = 11.1mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率\n•新一代的增强型体二极管技术,专为软恢复而设计\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS7580

N-Channel Power Trench MOSFET 25 V, 7.5 m廓

文件:367.7 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

H7580

My-Com precision switches

文件:70.39 Kbytes 页数:1 Pages

IVO

堡盟电子

HT7580

High Driver Regulator

General Description The HT75XX series is a set of three-terminal high current low voltage regulator implemented in CMOS technology. They can deliver 100mA output current and allow an input voltage as high as 24V. They are available with several fixed output voltages ranging from 3.0V to 8V. CMOS

文件:100.62 Kbytes 页数:10 Pages

Holtek

合泰

HT7580

High Driver Regulator

文件:351.79 Kbytes 页数:9 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    25

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    15

  • PD Max (W):

    27

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    11.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    7.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    16

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    6.5

  • Ciss Typ (pF):

    894

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
20+
PQFN-8
120000
原装正品 可含税交易
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onsemi(安森美)
24+
Power-56-8
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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FAIRCHILD/仙童
18+
POWER56
28227
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票
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三年内
1983
只做原装正品
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Fairchild
1930+
N/A
3073
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ON/安森美
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QFN-8
100500
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30000
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更多FDMS7580供应商 更新时间2025-10-12 14:00:00