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GAPM4435	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
GF4435	文件：153.07 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeMOSFET Features •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforLowVoltageDC/DCConverters •FastSwitchingforHighEfficiency	GE GE Industrial Company	GE
GF4435	文件：1.99289 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
GP4435	文件：288.77 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GSC4435	文件：307.63 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GT4435PW	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
H4435S	文件：186.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(-30V,-9.1A)	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
IM4435G	文件：1.14294 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF4435TRPBF	文件：1.14294 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
JMTP4435A	文件：369.255 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-25
VGS Max (V)：
25
VGS(th) Max (V)：
-3
ID Max (A)：
-18
PD Max (W)：
39
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
37
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
20
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18
Ciss Typ (pF)：
1540
Package Type：
PQFN-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDMS4435BZ供应商更新时间2025-7-29 14:01:00

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