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FDMS3615S

25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

General Description This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET (Q2) have been designed to provide

文件:525.66 Kbytes 页数:16 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDMS3615S

不对称双 N 沟道 MOSFET,PowerTrench® 功率级,25V

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。 • Q1: N沟道\n•在VGS = 10 V且ID = 16 A时,最大值RDS(on) = 6.6 mΩ \n•低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗\n•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS3615S-PC01

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:MOSFET N-CHANNEL POWER56

ONSEMI

安森美半导体

IRLI3615

HEXFET Power MOSFET

文件:100.35 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

MB3615

QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER

QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATES FROM A SINGLE OR DUAL POWER SUPPLY The Fujitsu MB3615 is a Quad operational amplifier having a phase compensatory circuit and operates from a single power supply or dual power supplies. The device has equivalent electrical characteristics of current i

文件:82.53 Kbytes 页数:7 Pages

FUJITSU

富士通

TDA3615J

Multiple voltage regulator

文件:113.22 Kbytes 页数:18 Pages

PHI

PHI

PHI

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    25

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.5

  • ID Max (A):

    Q1

  • PD Max (W):

    2.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    40

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    14

  • Ciss Typ (pF):

    2175

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
24+
QFN8
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ONSemiconductor
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更多FDMS3615S供应商 更新时间2026-11-1 16:12:00