不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，25V

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。 • Q2： N 沟道\n•最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 14 A 时）Q2： N 沟道\n•低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗\n•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

PowerTrench짰 Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

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安森美半导体

25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features

文件：582.82 Kbytes 页数：15 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SYNCHRONOUS BOOST DC/DC CONVERTER

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FOSLINK