25V PowerTrench® 功率级非对称双 N 沟道 MOSFET

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET™(Q2) 旨在提供最优功效。 • Q1: N沟道\n•最大值 rDS(on) =8.5 mΩ（VGS=4.5 V, ID =14 A 时）Q2: N沟道\n•低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗\n•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

PowerTrench짰 Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FlashStation FS3600

Highlights • High Performance Over 195,000 iSCSI 4K random write IOPS1 • Easy System Administration Easy to deploy with an intuitive user interface • Effortless Capacity Expansion Flexibly scale up to 72 drives2 to increase storage capacity as demand grows • Virtualization-Ready Integr

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SYNOLOGY

群晖科技

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Hamlin