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FDMS3500	文件：300 bytes Page：1 Pages	75V N沟道PowerTrench® MOSFET 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10V，ID = 11.5A时，最大RDS(on) = 14.5 mΩ\n•VGS = 4.5V，ID = 10A时，最大RDS(on) = 16.3 mΩ\n•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS3500	文件：294.6 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 75V, 49A, 14.5m廓文件：294.6 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FL-3500	文件：133.56 Kbytes Page：2 Pages	1310 nm LASER DIODE MODULES UNCOOLED MQW-FP LD WITH RECEPTACLE 文件：133.56 Kbytes 页数：2 Pages	OPTOWAY 奥普薇	OPTOWAY
FL-3500	文件：93.63 Kbytes Page：5 Pages	1310 nm LASER DIODE MODULES UNCOOLED MQW-FP LD WITH RECEPTACLE 文件：93.63 Kbytes 页数：5 Pages	OPTOWAY 奥普薇	OPTOWAY
FL-3500-F	文件：133.56 Kbytes Page：2 Pages	1310 nm LASER DIODE MODULES UNCOOLED MQW-FP LD WITH RECEPTACLE 文件：133.56 Kbytes 页数：2 Pages	OPTOWAY 奥普薇	OPTOWAY

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更多FDMS3500供应商更新时间2025-12-10 15:40:00