Complementary PowerTrench짰 MOSFET N-channel: 20 V, 3.8 A, 66 m廓 P-channel: -20 V, -2.6 A, 142 m廓

General Description This device is designed specifically as a single package solution for a DC/DC ‘Switching’ MOSFET in cellular handset and other ultra-portable applications. It features an independent N-Channel & P-Channel MOSFET with low on-state resistance for minimum conduction losses. T

文件：276.21 Kbytes 页数：11 Pages

Fairchild

仙童半导体

丝印：5T；Package：UDFN6；MOSFET - Complementary, POWERTRENCH

文件：316.49 Kbytes 页数：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

互补，PowerTrench® MOSFET，±20V

该器件专为设计作为单封装解决方案，适用于手机和其他移动应用中的DC/DC开关MOSEFT。 该器件具有一个带低通态电阻的独立N沟道和P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 每个MOSFET的栅极电荷也已被降至最低，以允许从控制器件直接实现高频率开关。 MicroFET™ 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。 • Q1： N沟道 \n• 最大值 RDS(on) = 160mΩ（VGS = 1.5V，ID = 2.1A）Q2： P沟道\n• 薄型： 最大0.55 mm，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装\n• 无卤素化合物和锑氧化物\n• HBM ESD保护电平>1600V（参考数据表3）\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Heyco Rubber Grommets

文件：81.31 Kbytes 页数：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Heyco Rubber Grommets

文件：81.31 Kbytes 页数：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Rubber Grommets

文件：91.93 Kbytes 页数：1 Pages

Heyco