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LMG3612REQR	文件：1.05999 Mbytes Page：25 Pages	LMG3612650-V120-mΩGaNFETWithIntegratedDriver 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting •AUXquiescentcurrent:55μA •Maximumsupplyandinputlogicpinvoltage:26V •8mm×5.3mmQFNpac	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LTC3612	文件：271.57 Kbytes Page：8 Pages	IsolatedRS485/RS422關ModuleTransceiverPower	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC3612	文件：2.79594 Mbytes Page：26 Pages	5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mmx3mmLQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC3612	文件：2.74276 Mbytes Page：28 Pages	5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcher2in3mmx3mmLQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC3612	文件：481.26 Kbytes Page：20 Pages	짹6AMonolithicSynchronousStep-DownRegulatorforDDRTermination	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC3612	文件：1.78442 Mbytes Page：28 Pages	5V,15ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mm×3mmLQFN FEATURES -LayoutCompatiblewithLTC3310/LTC3311Family -SilentSwitcher®Architecture -UltralowEMIEmissions -HighEfficiency:3mΩNMOSand8mΩPMOS -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
FDMC3612
功能描述：
MOSFET 100V PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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