N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，164A，4.5mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 3.8mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 100A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷 QG = 54nC （典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 164 A, 4.5 m廓

文件：317.23 Kbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 164A, 4.5m

文件：751.27 Kbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID = 164A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.5 mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件：332.04 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

100 V N-Channel MOSFET

• Fast switching speed • Low gate charge, QG=54 nC (typical) • High performance channel technology can achieve very low RDS(on). • High power and high current handling capacity • Meet RoHS standards •VDS=100V •ID(at VGS=10V)=100A •RDS(ON) (at VGS=10V)

文件：1.73694 Mbytes 页数：7 Pages

UMW

友台半导体