| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)I2PAK(TO-262) |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiN/A |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)I2PAK(TO-262) |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)I2PAK(TO-262) |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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10年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
7000 |
23+ |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-262 |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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15年
留言
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FAIRCHILDTO-262 |
11100 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
10 |
23+ |
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6年
留言
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ON-安森美车规-晶体管 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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10年
留言
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FCSTO-263-7 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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10年
留言
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FCSTO-263-7 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-262 |
54000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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5年
留言
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Fairchild/ONTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-262 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-262 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-262 |
250 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-262 |
1709 |
21+ |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-262 |
250 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-262 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
FDI045N10A采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FDI045N10A图片
FDI045N10A_F102价格
FDI045N10A_F102价格:¥13.0977品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的FDI045N10A_F102多少钱,想知道FDI045N10A_F102价格是多少?参考价:¥13.0977。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FDI045N10A_F102批发价格及采购报价,FDI045N10A_F102销售排行榜及行情走势,FDI045N10A_F102报价。
FDI045N10A中文资料Alldatasheet PDF
更多FDI045N10A功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
FDI045N10A_F102功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
































