FDFS6N754中文资料集成式 N 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，30V，4A，56mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDFS6N754规格书详情
描述 Description
FDFS6N754将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SO-8封装中。此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。
特性 Features
最大DS(on) = 56mΩ（VGS = 0V且ID= 4A时）
最大rDS(on) = 75mΩ（VGS= 4.5V且ID = 3.5A时）
VF 0.45V (2A)
VF 0.28V (100mA)
肖特基二极管和MOSFET整合在单电源表面贴装SO-8封装中
在电气上独立的肖特基二极管和MOSFET引脚可实现设计上的灵活性
低栅极电荷(Qg = 4nC)
低米勒电荷
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDFS6N754
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode 30V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：with Schottky Diode
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：4
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：56
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：3.3
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2
- Ciss Typ (pF)
：225
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
- |
24+ |
NA/ |
3750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOP-8 |
700 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
SOIC-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Fairchild |
24+ |
8-SOIC |
7500 |
询价 | |||
原厂 |
23+ |
SOIC-8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOIC-8 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
Fairchild Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
2447 |
SOP8 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
8-SOICN |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 |
