Integrated 60V P-Channel PowerTrench??MOSFET and Schottky Diode

General Description The FDFS2P106A combines the exceptional performance of Fairchilds PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package. This device is designed specifically as a single package solution for DC to DC converters. It fe

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，-60V，-3.0 A，110mΩ

FDFS2P106A将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SO-8封装中。 此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。 • • -3.0A, -60 V\n• RDS(on) = 110 mΩ（VGS = -10 V时）\n• RDS(on) = 140 mΩ（VGS = -4.5 V时）• VF < 0.45 V @ 1 A (TJ = 125°C)\n• VF < 0.53 V @ 1 A\n• VF J = 125°C)\n• VF < 0.62 V @ 2 A• 肖特基二极管和MOSFET已整合在单电源表面贴装SO-8封装中• 电气独立的肖特基二极管和MOSFET引脚，可实现设计的灵活性\n• Schottky and MOSFET incorporated into singlepower surfa;

ONSEMI

安森美半导体

ON
8-SOIC

ON

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Fairchild
SOT363

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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SMD

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