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FDFS2P106A中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDFS2P106A
厂商型号

FDFS2P106A

功能描述

Integrated 60V P-Channel PowerTrench??MOSFET and Schottky Diode

文件大小

91.38 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 20:00:00

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FDFS2P106A规格书详情

General Description

The FDFS2P106A combines the exceptional performance of Fairchilds PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package.

This device is designed specifically as a single package solution for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate charge MOSFET with very low onstate resistance. The independently connected Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC converter topologies.

Features

• –3.0 A, –60V RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = –10 V RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = –4.5 V

• VF < 0.45 V @ 1 A (TJ = 125°C) VF < 0.53 V @ 1 A VF < 0.62 V @ 2 A

• Schottky and MOSFET incorporated into single power surface mount SO-8 package

• Electrically independent Schottky and MOSFET pinout for design flexibility

产品属性

  • 型号:

    FDFS2P106A

  • 功能描述:

    MOSFET 60V P-Ch PowerTrench Integrated

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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