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FDFS2P103A中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDFS2P103A

功能描述

Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

文件大小

144.17 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 22:58:00

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FDFS2P103A规格书详情

General Description

The FDFS2P103A combines the exceptional performance of Fairchilds PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package.

This device is designed specifically as a single package solution for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate charge MOSFET with very low onstate resistance. The independently connected Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC converter topologies.

特性 Features

• –5.3 A, –30V RDS(ON) = 59 mΩ @ VGS = –10 V RDS(ON) = 92 mΩ @ VGS = –4.5 V

• VF < 0.35 V @ 1 A (TJ = 125°C) VF < 0.25 V @ 1 A (TJ = 25°C)

• Schottky and MOSFET incorporated into single power surface mount SO-8 package

• Electrically independent Schottky and MOSFET pinout for design flexibility

产品属性

  • 型号:

    FDFS2P103A

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch PowerTrench Integrated

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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