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FDFME2P823ZT中文资料PDF规格书

FDFME2P823ZT
厂商型号

FDFME2P823ZT

功能描述

Integrated P-Channel PowerTrench짰 MOSFET and Schottky Diode

文件大小

275.68 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-4 22:30:00

产品属性

  • 型号:

    FDFME2P823ZT

  • 功能描述:

    MOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHI
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