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FDFMA2P853中文资料PDF规格书

FDFMA2P853
厂商型号

FDFMA2P853

功能描述

Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

文件大小

307.08 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-27 22:30:00

FDFMA2P853规格书详情

General Description

This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It features a MOSFET with low on-state resistance and an independently connected low forward voltage schottky diode for minimum conduction losses.

The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal perfo rmance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

Features

MOSFET:

■ -3.0 A, -20V. RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = -4.5 V RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = -2.5 V RDS(ON) = 240 mΩ @ VGS = -1.8 V

Schottky:

VF < 0.46 V @ 500 mA

■ Low Profile - 0.8 mm maximun - in the new package MicroFET 2x2 mm

■ RoHS Compliant

产品属性

  • 型号:

    FDFMA2P853

  • 功能描述:

    MOSFET MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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