FDD7N20TM

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM， 200 V，5 A，690 mΩ，DPAK; •RDS(on) = 580mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.5A\n•低栅极电荷（典型值 5nC） \n•低 Crss（典型值 5pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n;

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

FDD7N20TM

N-Channel MOSFET

FDD7N20TM-TP

丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features ©Vos=200v +o=60A +Rosin50650@Ves=10V.

FDU7N20

N-ChannelMOSFET

FQB7N20

200VN-ChannelMOSFET

FQB7N20L

200VLOGICN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh