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FDD7N20	文件：353.44 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel MOSFET 文件：353.44 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD7N20TM-TP	文件：994.62 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V. 文件：994.62 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
FDD7N20LZ	文件：329.12 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel UniFET MOSFET 文件：329.12 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD7N20TF	文件：353.44 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel MOSFET 文件：353.44 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD7N20TM	文件：353.44 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel MOSFET 文件：353.44 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD7N20TM	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM， 200 V，5 A，690 mΩ，DPAK UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。 •RDS(on) = 580mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.5A\n•低栅极电荷（典型值 5nC） \n•低 Crss（典型值 5pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD7N20LZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel UniFET MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
200
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
5
PD Max (W)：
43
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
690
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
5
Ciss Typ (pF)：
185
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDD7N20供应商更新时间2025-12-12 15:40:00

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