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FDC655BN中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDC655BN
厂商型号

FDC655BN

功能描述

Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

文件大小

528.17 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:00:00

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FDC655BN规格书详情

General Description

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimized on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

特性 Features

■6.3A, 30V.

RDS(ON)= 25 mΩ@ VGS= 10V

RDS(ON)= 33 mΩ@ VGS= 4.5V

■Fast switching

■Low gate charge

■High performance trench technology for extremely low Rdson

产品属性

  • 型号:

    FDC655BN

  • 功能描述:

    MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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