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FDC645N中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDC645N

功能描述

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

313.11 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-8 23:00:00

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FDC645N规格书详情

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON)and fast switching speed.

特性 Features

• 5.5 A, 30 V. RDS(ON)= 30 mΩ@ VGS= 4.5 V

RDS(ON)= 26 mΩ@ VGS= 10 V

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• Low gate charge (13 nC typical)

• High power and current handling capability

产品属性

  • 型号:

    FDC645N

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-6 N-CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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