Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

丝印：312F；Package：SOT23-6；Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET

Features Vps =-20V,Ip =-3A Ros(on) =120m Q @ Ves=-2.5V (Typ) Rosion) =85m Q @ Ves=-4.5V (Typ) High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mount Package

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TECHPUBLIC

台舟电子

Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，1.8V 指定，-12V，-2.5A，90mΩ

这些P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 •-2.5A，-12V。 RDS(ON) = 90mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) = 125mΩ @ VGS = -2.5V RDS(ON) = 200mΩ @ VGS = -1.8V\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）;

ONSEMI

安森美半导体