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FDC604P中文资料P 沟道,PowerTrench® MOSFET,1.8V Specified,-20V,-5.5A,33mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDC604P

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,1.8V Specified,-20V,-5.5A,33mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 13:10:00

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FDC604P规格书详情

描述 Description

此P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆的低电压PowerTrench工艺。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•-5.5 A, -20 V
•RDS(on) = 33 mΩ @ VGS = -4.5V
•RDS(on) = 43 mΩ @ VGS = -2.5V
•RDS(on) = 60 mΩ @ VGS = -1.8V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC604P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-5.5

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :43

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :33

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :17

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :19

  • Ciss Typ (pF)

    :1926

  • Package Type

    :TSOT-23-6

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