FDC604P中文资料P 沟道,PowerTrench® MOSFET,1.8V Specified,-20V,-5.5A,33mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC604P规格书详情
描述 Description
此P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆的低电压PowerTrench工艺。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-5.5 A, -20 V
•RDS(on) = 33 mΩ @ VGS = -4.5V
•RDS(on) = 43 mΩ @ VGS = -2.5V
•RDS(on) = 60 mΩ @ VGS = -1.8V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDC604P
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-20
- VGS Max (V)
:8
- VGS(th) Max (V)
:-1.5
- ID Max (A)
:-5.5
- PD Max (W)
:1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:43
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:33
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:17
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:19
- Ciss Typ (pF)
:1926
- Package Type
:TSOT-23-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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