FDC021N30中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，6.1A，26 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC021N30规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 PowerTrench MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 26 mΩ（VGS = 10 V、ID = 6.1 A）
• 最大 rDS(on) = 33 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 5.3 A）
• 高性能沟槽技术可实现极低的 rDS(on)
•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
• 快速开关速度
• 符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC021N30
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：6.1
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：33
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：26
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：6
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：3.7
- Ciss Typ (pF)
：510
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
20+ |
SOT23-6 |
6139 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
SOT236 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
SOT23-6 |
43000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
9420 |
TSOT-23-6 |
36520 |
国产南科平替供应大量 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
PMATE |
24+ |
134 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SSOT-6 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TSOP-6 |
85762 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
