FDB8030L中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30V，80A，4.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB8030L规格书详情
描述 Description
此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
特性 Features
• 80A, 30 V
• RDS(ON) = 0.0035 Ω@ VGS =10 V
• RDS(ON) = 0.0045 Ω@ VGS =4.5 V
• 在高温下指定的临界DC电气参数
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 175°C最大结温额定值
• Critical DC electrical parameters specified atelevated temperature
• Rugged internal source-drain diode can eliminate theneed for an external Zener diode transientsuppressor
• High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDB8030L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：80
- PD Max (W)
：187
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：4.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：120
- Ciss Typ (pF)
：10500
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
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