N-Channel UniFETTM MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V，16.5A，380 mΩ

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 380mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 8.3A\n•低栅极电荷（典型值 32nC)\n•低 Crss（典型值 20pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试;

ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，16.5 A，380 mΩ，TO-3P

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 310 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V, ID = 8.3 A\n•低栅极电荷（典型值 32 nC)\n•低Crss（典型值 20 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET 500V 16.5A NCH

ONSEMI

安森美半导体