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FDA16N50	文件：902.56 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA16N50	文件：346.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=16.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDA16N50	文件：391.54 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA16N50	文件：718.96 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA16N50	文件：438.39 Kbytes Page：8 Pages	Optimized Switch for Discontinuous Current Mode Power Factor Correction	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA16N50-F109	文件：1.76443 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel UniFETTM MOSFET 500V, 16.5 A, 380 mΩ Description UniFETTMMOSFETisONSemiconductor’shighvoltage MOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology. ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andto providebetterswitchingperformanceandhigheravalanche energystrength.Thisdevicefamilyissuitablefor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FDA16N50_07	文件：391.54 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA16N50_0706	文件：718.96 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA16N50_F109	文件：391.54 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA16N50_F109	文件：718.96 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA16N50F109	文件：1.03841 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel UniFETTM MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
16N50	文件：170.33 Kbytes Page：6 Pages	16Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC16N50isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalan	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
16N50A	文件：900.91 Kbytes Page：6 Pages	16A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
16N50H	文件：329.21 Kbytes Page：6 Pages	16A竊?00VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
AOT16N50	文件：305.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOT16N50	文件：166 Kbytes Page：6 Pages	500V,16AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT16N50&AOTF16N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabili	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOTF16N50	文件：166 Kbytes Page：6 Pages	500V,16AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT16N50&AOTF16N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabili	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AP16N50I-HF	文件：63.82 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP16N50W	文件：64.23 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
BRF16N50	文件：1.10456 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

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详细参数

型号：
FDA16N50
功能描述：
MOSFET 500V 16.5A NCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
无锡固电半导体股份有限公司	FDA16N50	isc	2024+	TO-3P	5000		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	FDA16N50	FAIRCHILD	2017+	原厂封装	25896	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	FDA16N50	FAIRCHILD	08+(pbfree)	TO-247TO-3PTO-3PF	8866		询价
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深圳市鹏和科技有限公司	FDA16N50	FAIRCHILD	2022+	TO-3P	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FDA16N50	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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更多FDA16N50供应商更新时间2024-4-26 12:45:00

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