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FCX717	文件：46.14 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR FEATURES * 2W POWER DISSIPATION * 10A Peak Pulse Current * Excellent HFE Characteristics up to 10 Amps * Extremely Low Saturation Voltage E.g. 12mv Typ. * Extremely Low Equivalent On-resistance; RCE(sat) 77mΩ at 3A 文件：46.14 Kbytes 页数：2 Pages	ZETEX	ZETEX
FCX717	文件：65.26 Kbytes Page：2 Pages	SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR Features • BVCEO = -12V • IC = -3.0A Continuous Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：65.26 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FCX717	文件：51.98 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Power Switching Transistor Features ● 2W power dissipation. ● 10A peak pulse current. ● Excellent HFE characteristics up to 10 Amps. ● Extremely low saturation voltage E.g. 12mv Typ. ● Extremely low equivalent on-resistance. RCE(sat) 77mΩ at 3A. 文件：51.98 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FCX717TA	文件：65.26 Kbytes Page：2 Pages	SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR Features • BVCEO = -12V • IC = -3.0A Continuous Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：65.26 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FCX718	文件：50.24 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR FEATURES * 2W POWER DISSIPATION * 6A Peak Pulse Current * Excellent HFE Characteristics up to 6Amps * Extremely Low Saturation Voltage E.g. 16mv Typ. * Extremely Low Equivalent On-resistance; RCE(sat) 96mΩ at 2.5A 文件：50.24 Kbytes 页数：3 Pages	ZETEX	ZETEX
FCX718	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR Features • BVCEO = -20V • IC = -2.5A Continuous Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：71.08 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FCX718	文件：52.1 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Power Switching Transistor Features ● 2W power dissipation. ● 6A peak pulse current. ● Excellent HFE characteristics up to 6 Amps. ● Extremely low saturation voltage E.g. 16mv Typ. ● Extremely low equivalent on-resistance. RCE(sat) 96mΩ at 2.5A. 文件：52.1 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FCX718TA	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR Features • BVCEO = -20V • IC = -2.5A Continuous Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：71.08 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FCX717_15	文件：65.26 Kbytes Page：2 Pages	SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR 文件：65.26 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FCX718_15	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR 文件：71.08 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
PNP
IC (A)：
3
ICM (A)：
10
PD (W)：
1
hFE (Min)：
300
hFE (@ IC) (A)：
0.1
hFE(Min 2)：
160
hFE (@ IC2) (A)：
3
VCE(sat) Max (mV)：
20
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
320
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
3/50
fT (MHz)：
110
RCE(sat) (mΩ)：
77
Packages：
SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	FCX717	ZETEX	24+	SOT-89	3000		询价
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