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FCX688B	文件：79.67 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR FEATURES * 2W POWER DISSIPATION * 10A Peak Pulse Current * Excellent HFE Characteristics up to 10 Amps * Extremely Low Saturation Voltage 文件：79.67 Kbytes 页数：3 Pages	ZETEX	ZETEX
FCX688B	文件：89.52 Kbytes Page：3 Pages	SOT89 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR Features • BVCEO = 12V • IC = 3.0A Continuous Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：89.52 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FCX688B	文件：89.52 Kbytes Page：3 Pages	SOT89 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR Features • BVCEO = 12V • IC = 3.0A Continuous Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：89.52 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FCX688BTA	文件：89.52 Kbytes Page：3 Pages	SOT89 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR Features • BVCEO = 12V • IC = 3.0A Continuous Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：89.52 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FCX688B_15	文件：89.52 Kbytes Page：3 Pages	SOT89 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR 文件：89.52 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FCX688B	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN,12V, 3A, SOT89	Diodes 美台半导体	Diodes
FCX688BTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 3A SOT89-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
NPN
IC (A)：
3
ICM (A)：
10
PD (W)：
2
hFE (Min)：
500
hFE (@ IC) (A)：
0.1
hFE(Min 2)：
100
hFE (@ IC2) (A)：
10
VCE(sat) Max (mV)：
40
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/1
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
400
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
4/50
fT (MHz)：
150
Packages：
SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	FCX688B		25+		60	公司现货库存	询价
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更多FCX688B供应商更新时间2026-1-19 9:06:00

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