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FCPF400N60	文件：270.19 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconduc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCPF400N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCPF400N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FAST，600 V，10 A，400 mΩ，TO-220F SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。; •650V @TJ = 150°C\n•最大值 RDS(on) = 400mΩ\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 28nC )\n•低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 90pF )\n•100% 经过雪崩击穿测试\n;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FCPF400N60	文件：318.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCPF9N60NTYDTU	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 SMD	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
600
VGS Max (V)：
DC
VGS(th) Max (V)：
3.5
ID Max (A)：
10
PD Max (W)：
31
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
400
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
28
Ciss Typ (pF)：
1180
Package Type：
TO-220-3 FullPak

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更多FCPF400N60供应商更新时间2025-8-1 16:33:00

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