FCPF11N60F中文资料下载行情报价第2页-114ic电子网

首页 >FCPF11N60F>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
FMC11N60E	文件：626.98 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMC11N60E	文件：333.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.79Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FMI11N60E	文件：631.65 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMP11N60E	文件：623.42 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMV11N60E	文件：553.4 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET SuperFAP-E3series Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedura	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMV11N60E	文件：313.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
GC11N60F	文件：4.32953 Mbytes Page：7 Pages	PowerFactorCorrection Description TheGC11N60usesadvancedsuperjunctiontechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor industry’sAC-DCSMPSrequirementforPFC,AC/DCpower conversion,andindustrialpowerapplication. Ap	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GC11N60F	文件：4.32953 Mbytes Page：7 Pages	PowerFactorCorrection(PFC) Description TheGC11N60usesadvancedsuperjunctiontechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor industry’sAC-DCSMPSrequirementforPFC,AC/DCpower conversion,andindustrialpowerapplication. Ap	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GC11N60F	文件：4.32953 Mbytes Page：7 Pages	PowerFactorCorrection(PFC) Description TheGC11N60usesadvancedsuperjunctiontechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor industry’sAC-DCSMPSrequirementforPFC,AC/DCpower conversion,andindustrialpowerapplication. Ap	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GC11N60K	文件：4.32953 Mbytes Page：7 Pages	PowerFactorCorrection(PFC) Description TheGC11N60usesadvancedsuperjunctiontechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor industry’sAC-DCSMPSrequirementforPFC,AC/DCpower conversion,andindustrialpowerapplication. Ap	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

<<<123 4 5 6 >>>

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
600
VGS Max (V)：
5
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
11
PD Max (W)：
36
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
380
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
40
Ciss Typ (pF)：
1148
Package Type：
TO-220-3 FullPak

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	FCPF11N60F	FAIRCHILD/仙童	24+	TO220F	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FCPF11N60F	ON/安森美	24+	TO220F	22048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市芯皇电子有限公司	FCPF11N60F	ON/安森美	SMD	23+	6000	专业配单原装正品假一罚十	询价
深圳市恒创达实业有限公司	FCPF11N60F	FSC进口原	17+	TO-220F	6200		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	FCPF11N60F	FAIRCHIL	23+	TO220	9526		询价
深圳市一线半导体有限公司	FCPF11N60F		24+		8866		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	FCPF11N60F	Fairchi	2016+	TO-220F	6528	房间原装进口现货假一赔十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	FCPF11N60F	FSC进口原	24+	TO-220F	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FCPF11N60F	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	FCPF11N60F	FAIRCHILD	25+23+	TO220F	8791	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价

更多FCPF11N60F供应商更新时间2025-7-27 16:36:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号