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FCP600N60Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FCP600N60Z

N-Channel SuperFET짰 II MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FCD600N60Z

LCD/LED/PDPTVandMonitorLighting

N-ChannelSuperFET®IIMOSFET600V,7.4A,600mΩ Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnolog

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FCD600N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FCPF600N60Z

N-ChannelSuperFET짰IIMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FCPF600N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

  • 型号:

    FCP600N60Z

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FCP600N60Z供应商 更新时间2024-4-27 14:14:00