Stable Stacked Metallized Film (PPS) Chips for Reflow Soldering

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CDE

Surface Mount Film Capacitors

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Stable Stacked Metallized Film (PPS) Chips for Reflow Soldering

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Surface Mount Film Capacitors

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流量计

Bimba

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®， 650V，35A，110mΩ，TO-220

SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。 •700 V @ TJ = 150°C\n•典型值 RDS(on) =96 mΩ（典型值）\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 98 nC)\n•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 308 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，Easy Drive，600 V，11 A，380 mΩ，TO-220

SuperFET® MOSFET 是安森美半导体的第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。 •650 V（Tj = 150°C）\n•典型值 Rds(on) = 0.32 Ω\n•超低栅极电荷（典型值 Qg=40nC)\n•低有效输出电容（典型值 Coss.eff=95pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Package：1206（3216 公制）；包装：散装 类别：电容器 薄膜电容器 描述：CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

CDE

Package：1206（3216 公制）；包装：散装 类别：电容器 薄膜电容器 描述：CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

CDE

Package：1206（3216 公制）；包装：散装 类别：电容器 薄膜电容器 描述：CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

CDE