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FCP11N60中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET®,Easy Drive,600 V,11 A,380 mΩ,TO-220数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FCP11N60

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET®,Easy Drive,600 V,11 A,380 mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 19:10:00

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FCP11N60规格书详情

描述 Description

SuperFET® MOSFET 是安森美半导体的第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

特性 Features

•650 V(Tj = 150°C)
•典型值 Rds(on) = 0.32 Ω
•超低栅极电荷(典型值 Qg=40nC)
•低有效输出电容(典型值 Coss.eff=95pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

技术参数

  • 型号:

    FCP11N60

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 11A N-CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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