FCP11N60数据手册ONSEMI中文资料规格书
FCP11N60规格书详情
描述 Description
SuperFET® MOSFET 是安森美半导体的第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
特性 Features
•650 V（Tj = 150°C）
•典型值 Rds(on) = 0.32 Ω
•超低栅极电荷（典型值 Qg=40nC)
•低有效输出电容（典型值 Coss.eff=95pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
技术参数
- 型号：
FCP11N60
- 功能描述：
MOSFET 600V 11A N-CH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD/仙童 |
04+ |
TO-220 |
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