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FCH190N65F_F085中文资料N 沟道，SuperFET II™ FRFET MOSFET 600V，20.6A，190mΩ数据手册ONSEMI规格书
FCH190N65F_F085规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此 SuperFETII 非常适合软开关和硬开关拓扑，如高电压全桥和半桥 DC-DC、交错式 PFC 升压、HEV-EV 汽车 PFC 升压。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。
特性 Features
•典型值 RDS(on) = 148 mΩ（VGS = 10 V, ID = 10 A时）
•典型值 Qg(tot) = 63 nC（VGS = 10V, ID = 10 A时）
•UIS 能力
•符合 AEC Q101 要求
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• Automotive On Board Charger
• Automotive DC/DC converter for HEV
技术参数
- 制造商编号
：FCH190N65F_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：AEC QualifiedPPAP CapablePb-free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel SuperFET II™ FRFET MOSFET 600V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：650
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：20.6
- PD Max (W)
：208
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：190
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：63
- Ciss Typ (pF)
：2447
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
13+ |
TO-247 |
20 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
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NA |
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ON |
23+ |
TO247 |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
294 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
21+ |
TO-247-3 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
3850 |
原厂原装正品 |
询价 |
