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FCH165N60E中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，Easy Drive，600 V，23 A，165 mΩ，TO-247数据手册ONSEMI规格书
FCH165N60E规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，与 SuperFET II MOSFET 系列相比，SuperFET II MOSFET 易驱系列提供略为缓慢的上升和下降时间。 注意以“E”作为部件编号后缀的系列产品有助于控制 EMI 问题和允许更简单的设计实施。 若要在开关损耗必须是绝对最小值的应用中实现更快速开关，请考虑 SuperFET II MOSFET 系列。
特性 Features
•650 V @TJ= 150°C
•典型值 RDS(on) = 132 mΩ
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 57 nC)
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff) = 204 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• Industrial Power Supplies
• Telecom / Server Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
：FCH165N60E
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：3.5
- ID Max (A)
：23
- PD Max (W)
：227
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：165
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：57
- Ciss Typ (pF)
：1830
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
2022+ |
60000 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
ON |
2023+ |
TO-247 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-247 |
11797 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
13916 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
11+ |
TO-247 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247-3 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
