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FCH190N65F中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，650V，20.6A，190mΩ，TO-247数据手册ONSEMI规格书
FCH190N65F规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。
特性 Features
•700 V @ TJ = 150°C
•典型值 RDS(on)=168 mΩ
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 60 nC)
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 186 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC Power Supplies
• LCD / LED / PDP TV
• Solar Inverter
• Telecom / Server Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
：FCH190N65F
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：650
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：20.6
- PD Max (W)
：208
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：190
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：60
- Ciss Typ (pF)
：2425
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FSC进口原 |
25+ |
TO-247 |
20 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
16+ |
TO-247 |
70 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
2450+ |
NA |
9850 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
TO247 |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
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电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
询价 | ||
onsemi |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
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TO-247-3 |
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询价 |
